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Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica de impurezas em germanio (1988)
Castineira, J L P; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1988
APA
Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1986
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon (1986)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1986). Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio (1985)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.; Assali, L. V. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 abr. 2024. , 1985
APA
Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 abr. 27 ]

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